CIQ4180 دیتاشیت

CIQ4180

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CIQ4180
حجم فایل 29.095 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت CIQ4180

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/TRIACs
  • SCR Type: 1个双向可控硅
  • Datasheet: Tokmas CIQ4180
  • Holding Current (Ih): 80mA
  • Operating Temperature: -40°C~+125°C@(Tj)
  • Gate Trigger Current(Igt): 50mA
  • Gate Trigger Voltage (Vgt): 1.3V
  • RMS On-State Current(It (rms)): 40A
  • Peak Forward On?State Voltage (Vtm): -
  • Average Gate Power Dissipation (PG(AV)): 1W
  • Peak Repetitive Off?State Voltage (Vdrm): -
  • Peak non-repetitive surge current (Itsm@f): 400A@50Hz
  • Package: TO-3P
  • Manufacturer: Tokmas

محصولات مشابه